삼성·SK 설비투자 늘어도 메모리 공급 확대가 늦어지는 이유는?

삼성전자와 SK하이닉스가 올해 사상 최대 규모의 설비투자에 나서지만, 투자액이 곧바로 메모리 출하 증가로 이어지지는 않을 전망이다. 업계는 2028년을 수급 전환점으로 보고, 공급의 본격 확대는 2029~2030년으로 예상한다.

26일 업계 추정으로 두 회사의 올해 설비투자액은 합계 약 110조원이다. 지난해 합산 약 82조원보다 30% 이상 늘어난 규모다. 다만 투자금 상당 부분은 클린룸 건설에 쓰이고 있다. 클린룸을 완공한 뒤에도 장비 반입·설치, 시험 가동과 수율 안정화가 필요해 생산과 출하가 늘기까지 통상 2~3년이 걸린다.

SK하이닉스는 이천·청주에 추가 공간이 마땅치 않고, 중국 우시 공장은 EUV 노광장비 규제 문제도 안고 있다.

새 생산능력이 일반 D램 공급 증가로 곧장 이어지지 않는 점도 이유다. 여러 겹의 D램을 쌓는 고대역폭메모리(HBM)는 같은 양을 만들 때 웨이퍼를 더 많이 사용한다. 트렌드포스에 따르면 3대 메모리 업체의 D램 웨이퍼 가운데 HBM 투입 비중은 2025년 18%, 2026년 22%, 2027년 약 30%로 늘 전망이다.

반면 생산량 기준 HBM 비중은 같은 해 각각 8%, 9%, 약 13%로, 웨이퍼 사용 비중보다 낮다. HBM 생산이 커지면 일반 D램에 배정할 웨이퍼 여력이 줄 수 있다.

신규 공장도 단계적으로 가동된다. SK하이닉스는 용인 첫 공장 Y1의 1단계 클린룸을 2027년 1분기에 열고, 같은 해 2분기부터 장비를 설치할 계획이다. 6개 클린룸을 순차 가동해 2030년 상반기 월 36만장 생산능력을 갖춘다는 구상이다.

청주 M17은 낸드 공장으로 2028년 12월, 용인 Y2는 2029년 6월 첫 클린룸 개방을 목표로 한다. 삼성전자는 2028년 가동을 목표로 평택 P5 장비 반입을 2027년 2분기로 앞당기는 방안을 검토 중이다.

가트너는 2025년 말부터 2028년 말까지 월 D램 웨이퍼 생산능력이 삼성전자는 65만장에서 97만5000장으로, SK하이닉스는 54만5000장에서 76만장으로 늘 것으로 추정한다. 공급 증가가 예상되는 가운데 중국 증설도 가격 변수다.

세미애널리시스는 중국 CXMT의 월 생산능력이 2026년 말 35만장에서 2028년 말 50만장으로 늘 것으로 전망했고, 모건스탠리는 2028년까지 세계 D램 웨이퍼 순증설의 약 30%를 중국이 차지할 것으로 봤다.

가트너는 신규 공장 확대로 D램 가격이 2027년 말~2028년 상반기부터 하락하고, 2028년에는 상당 폭 내릴 것으로 전망했다.