머스크의 한국 메모리 가격 비판? 삼성·SK 지목은 업계 해석

일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)가 메모리 가격을 비판하고 중국의 증산 가능성을 언급했다.

다만 삼성전자와 SK하이닉스를 직접 지목하지는 않았으며, 두 회사를 겨냥했다는 해석은 업계에서 나왔다.

19일 보도에 따르면 머스크는 이달 15일 소셜미디어 엑스에 중국이 2028년 “엄청난 양의 메모리 반도체”를 생산할 것이라고 썼다.

앞서 11일에는 “문제는 RAM 공급”이라고 했고, 12일에는 중국이 제조 기술을 확보하면 대규모 증산이 가능하다는 취지로 언급했다.

13일에는 마이크론은 메모리 가격에 합리적이었지만 다른 업체들은 “터무니없이 높은 가격”을 요구했다고 비판했다.

기업명을 밝히지 않았지만, 업계는 시장 점유율 1·2위인 삼성전자와 SK하이닉스를 가리킨 것으로 해석했다.

테슬라와 스페이스X, xAI는 자율주행과 AI 데이터센터 구축에 대량의 메모리가 필요하다.

업계 관계자는 중국 증산을 거론한 것이 실제 공급망을 바꾸겠다는 뜻이라기보다 가격 협상에서 우위를 얻으려는 압박에 가깝다고 봤다.

애플 CEO 존 터너스도 이달 15일 타임 인터뷰에서 메모리 공급 제약을 “절대적인 위기”라고 표현하고 중국산 메모리 도입 가능성을 열어두는 취지로 말했다.

업계가 주목하는 2028년 무렵에는 한국과 미국 메모리 기업의 증설 생산능력이 본격 가동될 전망이다.

중국 CXMT의 월간 D램 웨이퍼 생산능력도 50만∼60만 장으로 늘어 세계 3위권에 진입할 것으로 예상된다.

그러나 KB증권 김동원 리서치본부장은 삼성전자와 CXMT의 D램 공정 기술 격차가 양산 시점 기준 5∼7년이라고 분석했다.

범용 D램은 중국산으로 일부 대체할 수 있어도 AI 서버용 고성능 메모리는 수율과 전력 효율, 고객사 인증을 갖춰야 해 공급선을 단기간에 바꾸기 어렵다는 게 업계의 설명이다.

업계 관계자는 한국 기업들이 중국의 가격 결정력이 커지는 동안 HBM과 첨단 D램의 기술 격차를 더 벌려야 한다고 강조했다.