삼성전자·TSMC 차세대 HBM 협력, 엔비디아 맞춤형 칩은 왜 달라지나

삼성전자가 엔비디아의 차세대 맞춤형 HBM을 만들면서 핵심 부품인 베이스다이는 TSMC 공정을 활용하기로 했다.

메모리와 파운드리를 함께 보유한 삼성전자가 자체 생산 대신 외부 공정을 택한 이유는 엔비디아가 공급업체들의 제조 방식을 통일해 달라고 요구했기 때문이다.

10월 18일 보도에 따르면 엔비디아는 올 8월 공개한 커스텀 HBM ‘NVHBM’을 맡은 삼성전자·SK하이닉스·마이크론에 베이스다이는 TSMC의 3나노 공정으로, 코어다이는 6세대 D램 공정인 1c로 만들도록 요청했다.

NVHBM은 7세대 HBM4E 구조를 기반으로 한다.

공급사마다 제조 방식이 다르면 엔비디아가 설계한 성능을 일관되게 구현하기 어렵고, 업체별 제품 검증 부담도 커질 수 있다는 게 요구의 배경이다.

삼성전자 DS 부문은 내부 검토를 거쳐 이를 수용했다.

삼성전자가 HBM 제조 단계부터 TSMC와 협력하는 것은 처음이다.

다만 4년 전에도 HBM을 그래픽처리장치(GPU)에 연결하는 과정에서 TSMC 패키징 공정과 호환하기 위해 협력한 적은 있다.

이번 결정은 모든 HBM에 적용되는 전환은 아니다.

삼성은 표준 제품의 턴키 전략을 유지하며, 올해 초 세계 최초로 양산한 HBM4와 양산 검증 중인 HBM4E에는 자체 파운드리의 4나노 베이스다이와 화성·평택캠퍼스에서 생산하는 1c 코어다이를 적용하고 있다.

AMD 등 다른 고객사의 커스텀 HBM도 자체 턴키 방식으로 공급할 방침이다.

NVHBM 역시 삼성 파운드리에서 베이스다이를 만들 수 있는지 검증 중이라고 업계 관계자는 전했다.

이는 TSMC 생산능력이 NVHBM 수요를 감당하지 못할 경우에 대비한 선택지다.

따라서 삼성의 이번 협력은 자체 생산 전략을 전면 폐기한 것이 아니라, 엔비디아의 맞춤형 제품에 한해 제조 방식을 달리하면서 대체 생산 가능성도 살피는 움직임이다.