중국 CXMT가 차세대 D램 기술로 삼성전자와 SK하이닉스를 추격할 수 있다는 전망이 나오지만, 기술 발표만으로 실제 생산 경쟁력을 판단하기는 어렵다는 평가가 이어지고 있다.
핵심은 4F² 구조를 구현하는 데 그치지 않고 수율과 원가 경쟁력을 갖춰 대량생산에 이르는지다.
D램은 메모리 셀을 작게 만들수록 같은 면적에 더 많은 셀을 배치할 수 있다.
CXMT가 추진하는 4F² 구조는 기존 6F²보다 셀 면적을 줄여 집적도를 높이려는 방식이다.
하지만 좁은 공간에서도 성능을 유지하고 불량률을 낮춰야 하며, 생산 비용도 경쟁력 있게 관리해야 한다.
CXMT가 2027~2028년 실제 대량생산에 성공할 수 있을지가 향후 경쟁 구도의 변수로 꼽힌다.
미국 로젠블랫 증권의 케빈 캐시디 애널리스트는 CXMT의 4F² D램을 ‘종이호랑이’라고 표현했다.
주요 메모리 업체들도 이 구조를 연구했지만 제조 수율을 확보하기 어렵고 비용상 이점도 입증되지 않았다는 이유에서다.
개발에 성공하더라도 안정적인 양산 체계를 구축하고 고객사 인증을 통과해야 한다.
캐시디는 CXMT의 기술 발표 뒤 메모리 업체 주가가 하락한 데 대해서도 단기 경쟁 위협을 과도하게 반영한 측면이 있다고 평가했다.
뱅크오브아메리카는 미국의 극자외선(EUV) 노광장비 수출 제재가 CXMT의 개발 방향에 영향을 줬다고 분석했다.
첨단 장비를 이용한 회로 미세화에 제약이 생기면서, 셀 구조를 바꿔 더 많은 데이터를 저장하는 방식으로 돌파구를 찾는다는 설명이다.
이는 4F²가 주목받는 배경이지만 상업적 경쟁력을 입증하는 것과는 별개다.
KB증권은 양산 시점을 기준으로 삼성전자와 CXMT의 D램 공정 기술 격차를 5~7년으로 분석했다.
CXMT의 주력 1z 공정은 삼성전자가 2019년 9월 양산을 시작한 기술이다.
CXMT가 지난달 양산에 착수한 1a 공정은 삼성전자가 2021년 10월부터 양산했으며, 두 시점의 차이는 약 5년이다.
삼성전자도 2023년 4F² 기반 수직 채널 트랜지스터 기술을 발표했지만, KB증권은 아직 상업적 수요가 형성되지 않았다고 짚었다.
KB증권은 중국의 기술 추격 우려가 과도하다며 CXMT의 추격 속도보다 삼성전자의 기술 혁신 속도와 높은 진입 장벽에 주목할 시점이라고 강조했다.