삼성·SK 7세대 HBM 공개…차세대 메모리 기술도 전시

삼성전자와 SK하이닉스가 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제28회 반도체대전(SEDEX 2026)에서 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 샘플을 나란히 공개했다.

중국 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 연내 4F² 기술을 적용한 차세대 서버용 D램 출시를 예고한 가운데, 삼성전자는 해당 기술을 개발 중이라고 밝혔다.

4F²는 D램에서 데이터를 저장하는 셀의 면적을 기존 6F² 구조보다 줄여 같은 공간에 더 많은 셀을 넣는 기술이다. 삼성전자는 올해 2월 국제고체회로학회(ISSCC)에서 4F² 구조의 16Gb 시험용 D램 칩을 제작해 작동시켰다는 논문을 발표했다. 이 기술이 적용되면 같은 면적에서 저장 용량을 높일 수 있다.

SK하이닉스 안현 개발총괄 사장은 인공지능(AI) 인프라 성능 규모가 2030년에는 올해의 약 20배가 될 것으로 전망했다. AI 연산뿐 아니라 모델 가중치와 중간 데이터의 저장·이동 수요도 커져 성능과 전력 소모의 병목이 생긴다는 설명이다.

그는 연산칩 위에 D램을 쌓는 3D 적층 D램과 고대역폭플래시(HBF)를 해법으로 제시했다. HBF는 HBM의 칩 적층 및 고속 전송 기술을 낸드플래시에 적용한 메모리로, 같은 세대 HBM 대비 대역폭은 절반 수준, 용량은 약 10배를 목표로 개발되고 있다.

안 사장은 샌디스크 등과 HBF 표준화 작업을 진행 중이라며 내년 1월 정식 규격이 나올 것이라고 말했다.

삼성전자는 전시장에서 AI 연산칩 위에 HBM을 쌓아 데이터 이동 거리를 줄이는 zHBM과, 낸드플래시를 여러 층으로 쌓아 기기 내 AI 실행에 필요한 데이터를 빠르게 불러오도록 설계한 zNAND-O의 모형을 전시했다. SK하이닉스는 HBM과 HBF의 구조 모형을 공개했다.

삼성전자는 올해 5월 고객사에 HBM4E 12단 샘플을 출하했고, SK하이닉스도 샘플 공급을 마쳐 내년 본격 양산을 목표로 개발하고 있다. 일론 머스크 테슬라 최고경영자는 로직 반도체의 온도를 유지할 수 있는 적층 구조를 개발하는 일이 쉽지 않을 것이라며 중국의 HBM 추격이 어려울 것으로 내다봤다.

그는 마이크론의 미래 메모리 가격은 합리적이라고 평가한 반면 다른 업체들의 가격은 지나치게 비싸다고 비판했다. 다만 삼성전자와 SK하이닉스를 직접 거명하지는 않았다.