삼성전자, ASML과 차세대 반도체 협력 확대…2028년 High NA EUV

삼성 검색어가 이번에 가리키는 현재 이슈는 삼성전자가 ASML과 차세대 반도체 제조 협력을 확대하고, 2028년 메모리 제조에 High NA EUV 도입을 추진한다는 계획이다. 공개된 내용상 협력의 초점은 메모리 제조와 해당 장비 기술의 도입 추진에 맞춰져 있다.

핵심 내용

• 삼성전자는 ASML과 차세대 반도체 제조 협력을 확대한다.
• 목표 시점으로 제시된 때는 2028년이며, 적용 대상은 메모리 제조다.
• 도입을 추진하는 기술은 High NA EUV다.

이번 발표는 삼성반도체의 모든 사업이나 제품 출시 계획을 포괄적으로 설명한 내용이라기보다, 메모리 제조 공정에 High NA EUV를 도입하려는 협력 계획을 알린 것으로 이해할 수 있다. 따라서 관심의 핵심은 협력 확대 자체와 2028년이라는 목표 시점에 있다.

확인된 범위는 메모리 제조

기사에서 확인되는 적용 범위는 ‘2028년 메모리 제조’다. 다른 반도체 분야까지 같은 기술이 언제, 어떤 방식으로 적용되는지에 대해서는 제공된 공개 내용만으로는 확인되지 않는다.

또한 협력 확대라는 표현은 확인되지만, 구체적인 장비 도입 규모나 세부 공정, 투자 규모 등은 이 정보에 포함돼 있지 않다. 계획의 의미를 해석할 때 발표된 범위와 공개되지 않은 세부 사항을 구분할 필요가 있다.

2028년 계획으로 봐야 할 부분

현재 확인된 것은 삼성전자가 2028년을 목표로 High NA EUV 도입을 추진한다는 점이다. 실제 도입 이후의 생산 결과나 성과, 추가 일정에 관한 내용은 공개된 정보만으로 단정할 수 없다.